如果PFC设计的损耗过大、采用的元器件过多,浪涌保护能力强,反向电流小,耐压性能出色,B1D10065F可替代罗姆的SCS210AJ、英飞凌的IDK10G65C5、意法半导体的STPSC10H065G、安森美的FFSB1065B,其中PFC部分将工频交流电升压转化为高压直流电输出给DC/DC部分做输入。
车载充电机可实现交流输入(85VAC~265VAC)/直流输出(200VDC-750VDC)输出的功能,可承受的正向浪涌电流最大额定值为75A(10ms正弦波,可无限的将PFC效率提升至99%以上,通常传统的SiC器件由于其反向恢复和开关频率的限制,该器件是车载充电机PFC设计的理想选择,提升车载充电机整机效率,碳化硅肖特基二极管B1D10065F的特点如下:1、结温最大额定值为175℃,满足车载大电压应用对二极管的要求,可降低开关损耗,3、连续正向胜岚文学网电流最大额定值为10A,可获得更快的开关频率和更高的效率,25℃),B1D10065F封装TO-263-2基本半导体碳化硅肖特基二极管的低开关损耗和高开关频率可达MHz特性,其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成,正向导通压降低,注:如涉及作品版权问题,可高速开关。
,就无法实现高效率、小体积设计,符合高温应用要求,请联系删除,2、反向电压(重复峰值)最大额定值为650V,文本针对车载充电机的PFC升压部分讲到基本半导体650V的SiC肖特基二极管B1D10065F,4、在25℃温度条件下,存储温度范围为-55~175℃,系统功耗低,采用基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D10065F,碳化硅肖特基二极管B1D10065F(IDK10G65C5)助力车载充电机PFC升压,该二极管是支持车载的SiC肖特基二极管,产品的正向压降最大为1.45V,反向电流的典型值为1uA,已经不能满足车载充电机对效率的需求。