IGBT，即 Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写，意为“隔离栅双极晶体管”，在电力电子、工业控制、汽车电子等领域具有普遍的应用。
IGBT是一种控制高电压高电流的场效应晶体管，是MOSFET与双极则型晶体管的夹杂器件。它集两者之长，具备MOSFET低功率控制以及双极型晶体管高功率遭受的特点，因而普遍应用于高压、大电流、中等频率的变换器、逆变器和换流器等电力电子装备中。
IGBT本质上是一个三极管，可以看作一个复合结构，主要由PNP型双极晶体管和N型MOSFET组成。在施展着通俗双极型晶体管的放大作用的同时，又保持了MOSFET的低功率控制，使它的事情性能加倍稳固。
总之，IGBT的泛起，不仅将半导体晶体管手艺引向了一个崭新的阶段，同时也推动了电力电子手艺向更高性能的偏向生长，可谓是现代化工业控制和电力输配网的重要组成部门。
